Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSO104N03S

MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO

Paket/Kılıf
PG-DSO-8
Seri / Aile Numarası
BSO104N03S

BSO104N03S Hakkında

BSO104N03S, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi, 10A sürekli akım kapasitesi ve 9.7mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 4.5V-10V arasında drive voltajında çalışır. Surface mount PG-DSO-8 paket tipinde sunulur. -55°C ile 150°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. 16nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. Power switching uygulamaları, motor kontrol devreleri, solenoid sürücüleri ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. ±20V maksimum gate-source gerilimi ve 2V threshold voltajı ile güvenli ve kontrollü anahtarlama sağlar. Lütfen kullanım öncesinde Infineon tarafından sağlanan datasheet dosyasını inceleyiniz. (Not: Bu bileşen üretimi durdurulmuş durumdadır.)

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2130 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.7mOhm @ 13A, 10V
Supplier Device Package PG-DSO-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 30µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok