Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSO083N03MSGXUMA1

MOSFET N-CH 30V 11A 8DSO

Paket/Kılıf
PG-DSO-8
Seri / Aile Numarası
BSO083N03

BSO083N03MSGXUMA1 Hakkında

BSO083N03MSGXUMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ve 11A sürekli dren akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama görevini yerine getirir. 8.3mOhm maksimum Rds(on) değeri ile enerji kaybını minimize eder. Surface mount PG-DSO-8 paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç yönetimi, LED sürücüler ve batarya uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı sayesinde endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. Bileşen obsolete durumundadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2100 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.3mOhm @ 14A, 10V
Supplier Device Package PG-DSO-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok