Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSO080P03SHXUMA1

MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO

Paket/Kılıf
PG-DSO-8
Seri / Aile Numarası
BSO080P03SH

BSO080P03SHXUMA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen BSO080P03SHXUMA1, 30V drain-source gerilimi ve 12.6A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip P-Channel MOSFET transistörüdür. 8mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük önüşüm kaybı sağlar. ±25V gate-source gerilim aralığında çalışan bu komponent, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Surface mount PG-DSO-8 pakajında sunulan cihaz, -55°C ile 150°C arasında güvenli işletme imkanı sunar. 136nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliği gösterir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12.6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5890 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.79W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 14.9A, 10V
Supplier Device Package PG-DSO-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok