Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSO080P03NS3GXUMA1
MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- PG-DSO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSO080P03NS3G
BSO080P03NS3GXUMA1 Hakkında
BSO080P03NS3GXUMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 12A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 8mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Surface Mount teknolojisi ile 8DSO paketinde sunulmaktadır. Yüksek entegrasyon yoğunluğu gerektiren endüstriyel kontrol devreleri, güç dönüştürücüler, motor sürücüler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. -55°C ile +150°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 81 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6750 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 14.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-DSO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.1V @ 150µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok