Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSO080P03NS3EGXUMA1
MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- PG-DSO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSO080P03NS3
BSO080P03NS3EGXUMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BSO080P03NS3EGXUMA1, P-kanal MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj ve 12A maksimum drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 8mΩ maksimum on-direnci ile düşük güç kaybı sağlar. 8DSO yüzey montaj paketi ile PCB'ye direkt entegrasyona uygun olup, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Gate charge karakteristiği 81nC ile hızlı anahtarlama performansı sunmaktadır. Güç kaynakları, DC-DC konvertörler, motor kontrol, yük anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Şu an üretim dışıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 81 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6750 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 14.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-DSO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.1V @ 150µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok