Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSO051N03MS G

MOSFET N-CH 30V 14A 8DSO

Paket/Kılıf
PG-DSO-8
Seri / Aile Numarası
BSO051N03MS

BSO051N03MS G Hakkında

BSO051N03MS G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 14A sürekli dren akımı ile çalışan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (5.1mOhm @ 10V) sayesinde enerji verimliliğini artırır. Yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde, motor kontrolü ve LED sürücülerinde kullanılır. Surface mount PG-DSO-8 paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 4.5V ve 10V sürüş gerilimi seçenekleri ile farklı kontrol sistemlerine uyum sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4300 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.1mOhm @ 18A, 10V
Supplier Device Package PG-DSO-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok