Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSN20BKR

MOSFET N-CH 60V 265MA TO236AB

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BSN20

BSN20BKR Hakkında

BSN20BKR, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 265mA sürekli drenaj akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-236-3 (SOT-23) yüzey montaj paketi ile kompakt PCB tasarımlarına uygun bir seçenektir. 2.8Ω maksimum RDS(On) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) sayesinde endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılabilir. Düşük gate kapasitesi (20.2pF) hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur. Anahtarlama devreleri, motorlar için sürücü entegrelerine uyumlu konfigürasyonlar ve genel amaçlı dijital lojik kontrolü için tercih edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 265mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 20.2 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 310mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Supplier Device Package TO-236AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok