Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSM600C12P3G201
SICFET N-CH 1200V 600A MODULE
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSM600C12P3G201
BSM600C12P3G201 Hakkında
BSM600C12P3G201, ROHM Semiconductor tarafından üretilen Silicon Carbide (SiCFET) teknolojisine dayalı N-Channel MOSFET modülüdür. 1200V drain-source voltaj ve 600A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 2460W güç dağıtımı kapasitesi ile, 175°C'ye kadar işletme sıcaklığında çalışabilir. Gate-source voltajı +22V ile -4V arasında çalışır ve 5.6V gate-source eşik voltajına sahiptir. Chassis mount modülü konfigürasyonu ile endüstriyel konvertörler, motor kontrol sistemleri, güç kaynakları ve diğer yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 600A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 28000 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2460W (Tc) |
| Supplier Device Package | Module |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 182mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok