Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSM400C12P3G202
SICFET N-CH 1200V 400A MODULE
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSM400C12P3G202
BSM400C12P3G202 Hakkında
BSM400C12P3G202, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 1200V/400A SiC (Silicon Carbide) MOSFET modülüdür. N-Channel konfigürasyonunda tasarlanan bu bileşen, yüksek güç uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak çalışır. 400A sürekli akım kapasitesi ve 1200V drain-source gerilimi, endüstriyel güç dönüştürücüler, motorlar sürücüleri, solar inverterleri ve enerji yönetim sistemlerinde kullanıma uygundur. Silisyum karbür teknolojisi sayesinde daha düşük ısıl dirençe ve yüksek sıcaklık dayanımına sahiptir. Maksimum 175°C işletme sıcaklığında 1570W güç dağıtabilir. Şasi montajı yapılan modül tipi paketlemede sunulmuştur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 400A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 17000 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1570W (Tc) |
| Supplier Device Package | Module |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 106.8mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok