Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSM300C12P3E301
SICFET N-CH 1200V 300A MODULE
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSM300C12P3E301
BSM300C12P3E301 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen BSM300C12P3E301, Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı N-Channel MOSFET modülüdür. 1200V drain-source voltaj kapasitesi ve 300A sürekli drenaj akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 1360W güç dağıtımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, -40°C ile +150°C arasında çalışabilir. SiCFET teknolojisi sayesinde düşük kapalı durum direnci, hızlı anahtarlama ve düşük kapasitans değerleri sunar. Endüstriyel konvertörler, elektrik çevirici sistemleri, yüksek frekanslı anahtarlamalı güç kaynakları ve elektrikli araç uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Module paket formatı, soğutma ve entegrasyon kolaylığı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 300A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 10 V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1360W (Tc) |
| Supplier Device Package | Module |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 80mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok