Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSM300C12P3E201
SICFET N-CH 1200V 300A MODULE
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSM300C12P3E201
BSM300C12P3E201 Hakkında
BSM300C12P3E201, ROHM Semiconductor tarafından üretilen Silicon Carbide (SiCFET) tabanlı N-channel güç MOSFET modülüdür. 1200V drain-source voltaj ve 300A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle yüksek güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Chassis mount tipinde modül paketlemesinde sunulan bu bileşen, -40°C ile +150°C arasında çalışabilir. 1360W maksimum güç dağılımı kabiliyeti sayesinde endüstriyel konvertörler, inverterler, UPS sistemleri ve elektrik tren uygulamalarında tercih edilir. SiCFET teknolojisi düşük iletim kaybı ve yüksek anahtarlama hızı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 300A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 15000 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1360W (Tc) |
| Supplier Device Package | Module |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 80mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok