Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSM180C12P3C202
SICFET N-CH 1200V 180A MODULE
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSM180C12P3C202
BSM180C12P3C202 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen BSM180C12P3C202, Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayanan yüksek voltaj N-Channel MOSFET modülüdür. 1200V drain-source gerilimi ve 180A sürekli dren akımı kapasitesiyle, güç elektronikleri uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Chassis mount konfigürasyonuyla, invertörler, şarj cihazları, DC-DC konvertörler ve elektrikli araçlar gibi yüksek güç dönüştürme sistemlerinde yer alabilir. -40°C ile +150°C arasında çalışabilen modül, 880W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir. SiC teknolojisi sayesinde düşük kayıp ve yüksek sıcaklık performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 180A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9000 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 880W (Tc) |
| Supplier Device Package | Module |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 50mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok