Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSM180C12P2E202
SICFET N-CH 1200V 204A MODULE
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSM180C12P2E202
BSM180C12P2E202 Hakkında
BSM180C12P2E202, ROHM Semiconductor tarafından üretilen Silicon Carbide (SiCFET) teknolojisine dayalı bir N-Channel MOSFET modülüdür. 1200V Drain-Source gerilimi ve 204A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. Chassis mount yapısıyla doğrudan soğutma sistemlerine monte edilebilir. 175°C üst sıcaklık limiti ve 1360W maksimum güç dağılımı kapasitesiyle güç elektroniği uygulamalarında kullanılır. Yüksek gerilim indüstrisinde anahtarlama devreleri, güç dönüştürücüler, invertörler ve motor sürücülerinde tercih edilir. SiC teknolojisi sayesinde daha düşük kapacitans ve yükseltilmiş verimlilik sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 204A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 20000 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1360W (Tc) |
| Supplier Device Package | Module |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -6V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 35.2mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok