Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSH205G2R
MOSFET P-CH 20V 2A TO236AB
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSH205
BSH205G2R Hakkında
BSH205G2R, Nexperia tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ve 2A sürekli dren akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 4.5V gate sürüş geriliminde 170mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. TO-236AB (SOT-23-3) yüzey montajlı paketiyle sunulan bu transistör, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Düşük gate charge (6.5nC) ve 480mW güç dağılım kapasitesi ile yazılım kontrollü anahtarlama, güç yönetimi devreleri, load switching ve gerilim regülatör uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 418 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 480mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok