Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSH205,215

MOSFET P-CH 12V 750MA TO236AB

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BSH205

BSH205,215 Hakkında

BSH205,215, NXP Semiconductors tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ile 750mA maksimum drenaj akımına sahiptir. TO-236-3 (SOT-23) yüzey montajlı paket içinde sunulan bu bileşen, düşük seviye anahtarlama uygulamalarında ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. 4.5V gate geriliminde 400mOhm on-direnci ile verimli güç iletimi sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarına uygunluk gösterir. Maksimum 3.8nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliği sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 750mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 200 pF @ 9.6 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 417mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 430mA, 4.5V
Supplier Device Package SOT-23 (TO-236AB)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 680mV @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok