Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSH202,215
MOSFET P-CH 30V 520MA TO236AB
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSH202
BSH202,215 Hakkında
BSH202,215, Nexperia tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj ve 520mA sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 10V gate voltajında 900mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Gate charge 2.9nC @ 10V, input capacitance ise 80pF @ 24V'tur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Maksimum güç tüketimi 417mW'tır. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi devreleri ve genel amaçlı p-channel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Düşük RDS(on) ve kompakt paket tasarımı, gürültü parazitleri azaltan uygulamalarda avantaj sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 520mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.9 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 80 pF @ 24 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 417mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 280mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.9V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok