Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSH201,215

MOSFET P-CH 60V 300MA TO236AB

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BSH201

BSH201,215 Hakkında

BSH201,215, Nexperia tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 300mA sürekli drenaj akımı ile çalışan bu bileşen, TO-236AB (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 10V kapı geriliminde 2.5Ω on-state direnci ve 3nC gate charge değerleri ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma yapabilen transistör, gerilim regülatörleri, anahtarlama devreleri, güç yönetimi ve sinyal kontrolü uygulamalarında tercih edilmektedir. Maksimum 417mW güç tüketim kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 300mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 70 pF @ 48 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Not For New Designs
Power Dissipation (Max) 417mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5Ohm @ 160mA, 10V
Supplier Device Package TO-236AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA (Min)

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok