Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSH114,215
MOSFET N-CH 100V 500MA TO236AB
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSH114
BSH114,215 Hakkında
BSH114,215, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltajında 500mA sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate voltajında 500mOhm tipik on-direnç değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen BSH114, düşük sinyal anahtarlama, amplifikasyon ve kontrol uygulamalarında kullanılan genel amaçlı FET bileşenidir. Kompakt boyutu ve düşük güç tüketimi sayesinde taşınabilir elektronik cihazlar, sensör devreleri ve mikrodenetleyici sürücü uygulamalarında yer alır. Maksimum 360mW güç dağılımı kapasitesiyle sınırlı güç bütçeli tasarımlar için uygundur. Parça güncellenmiş ve yerini daha yeni versiyonlar almıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 500mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 138 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 360mW (Ta), 830mW (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500mOhm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok