Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSH112,235

MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BSH112

BSH112,235 Hakkında

BSH112,235, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajı ve 300mA sürekli drenaj akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. TO-236-3 (SOT-23) yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlara uygun olup, 5Ohm RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama işlevi sağlar. Endüstriyel kontrol, ses sistemleri, güç yönetimi ve düşük voltaj anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır. -65°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Not: Ürün üretimi durdurulmuş durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 300mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 40 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 830mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package SOT-23 (TO-236AB)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±15V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok