Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSH111BKR
MOSFET N-CH 55V 210MA TO236AB
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSH111
BSH111BKR Hakkında
BSH111BKR, Nexperia tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 55V drain-source gerilimi ve 210mA sürekli dren akımı ile çalışan bu bileşen, TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montajı paketinde sunulmaktadır. 4Ohm maksimum RDS(on) değeri ile düşük gerilim düşüşü sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışmaya uygun olan BSH111BKR, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve düşük güçlü lojik arayüz uygulamalarında kullanılır. 302mW maksimum güç tüketimi ile kompakt tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 210mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.5 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 30 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 302mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 200mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok