Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSH111,215
MOSFET N-CH 55V 335MA TO236AB
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSH111
BSH111,215 Hakkında
BSH111,215, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 55V drain-source gerilimi ve 335mA sürekli dren akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. TO-236-3 (SOT-23) kısı yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, sinyal yönetimi ve düşük voltaj güç kontrol uygulamalarında tercih edilir. -65°C ile 150°C arasında çalışabilen transistör, maksimum 830mW güç tüketimi ve 4Ω RDS(on) değeriyle kompakt tasarımlar için uygundur. Part status obsolete olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 335mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 40 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 830mW (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 500mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok