Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSH108,215

MOSFET N-CH 30V 1.9A TO236AB

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BSH108

BSH108,215 Hakkında

BSH108,215, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi (Vdss) ve 1.9A sürekli drain akımı (Id) özellikleriyle düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon görevlerinde kullanılır. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 120mOhm maksimum on-resistance değeri ile verimli çalışma sağlar. -65°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenli işletim yapılabilir. Gümrük kapısı gerilimi (Vgs) ±20V aralığında kontrol edilebilir. Mobil cihazlar, tüketici elektroniği ve endüstriyel otomasyon uygulamalarında sıklıkla tercih edilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 190 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 830mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 1A, 10V
Supplier Device Package TO-236AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok