Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSH103BKR

BSH103BK - 30 V, N-CHANNEL TRENC

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BSH103

BSH103BKR Hakkında

BSH103BKR, Nexperia tarafından üretilen 30V N-channel MOSFET transistördür. TRENCH teknolojisi ile üretilen bu kompakt transistör, maksimum 1A drain akımı ve 270mΩ RDS(on) direnci ile karakterizedir. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük sinyal geçiş uygulamaları, lojik kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen BSH103BKR, kompakt tasarımı ve düşük güç tüketimi nedeniyle taşınabilir cihazlar, sensör arayüz devreleri ve genel amaçlı lojik uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 79.3 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 330mW (Ta), 2.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 1A, 4.5V
Supplier Device Package TO-236AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.25V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok