Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSH103,215

MOSFET N-CH 30V 850MA TO236AB

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BSH103

BSH103,215 Hakkında

BSH103,215, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 850mA sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, TO-236-3 (SOT-23-3) surface mount paketinde sunulur. 400mOhm maksimum on-state direnci (4.5V, 500mA'de) ve düşük gate charge (2.1nC) karakteristiğiyle anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, lojik seviyeleri ile doğrudan uyumludur. Güç yönetimi, LED sürücüleri, motor kontrolü ve genel amaçlı anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Düşük güç tüketimi (540mW maksimum) ve küçük paket boyutu ile gömülü sistemlere uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 850mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 83 pF @ 24 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Not For New Designs
Power Dissipation (Max) 540mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Supplier Device Package TO-236AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 400mV @ 1mA (Min)

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok