Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSF083N03LQ G
MOSFET N-CH 30V 13A/53A 2WDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 3-WDSON
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSF083N03LQ
BSF083N03LQ G Hakkında
BSF083N03LQ G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 13A (Ta) / 53A (Tc) sürekli drenaj akımı ile çalışan bu bileşen, düşük on-state direnci (8.3mΩ @ 20A, 10V) sayesinde güç uygulamalarında verimli performans sağlar. 3-WDSON paketinde montajlanan komponent, -40°C ile 150°C arasında çalışabilir. MOSFET, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol, enerji yönetimi ve güç dağıtım sistemlerinde kullanılır. Hızlı anahtarlama hızı (18nC gate charge @ 10V) ve düşük input kapasitansi (1800pF @ 15V) ile kompakt tasarımlara uygun bir çözümdür. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuştur (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Ta), 53A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1800 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-WDSON |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.2W (Ta), 36W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.3mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok