Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSF077N06NT3GXUMA1

MOSFET N-CH 60V 13A/56A 2WDSON

Paket/Kılıf
3-WDSON
Seri / Aile Numarası
BSF077N06NT3G

BSF077N06NT3GXUMA1 Hakkında

BSF077N06NT3GXUMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi (Vdss) ve 13A sürekli akım (Ta) / 56A (Tc) kapasitesine sahiptir. 7.7mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 3-WDSON paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme devreleri, motor kontrol uygulamaları, anahtarlama güç kaynakları ve enerji yönetimi sistemlerinde kullanılır. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. 46nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama performansı sunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Ta), 56A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3700 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 3-WDSON
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.2W (Ta), 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.7mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package MG-WDSON-2, CanPAK M™
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 33µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok