Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSF050N03LQ3GXUMA1
MOSFET N-CH 30V 15A/60A 2WDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 3-WDSON
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSF050N03LQ3
BSF050N03LQ3GXUMA1 Hakkında
BSF050N03LQ3GXUMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi (Vdss) ve 15A sürekli drenaj akımı (Ta) ile çalışan bu bileşen, 60A nadir durum kapasitesi (Tc) sunmaktadır. Maksimum 5mΩ kapalı devre direnci (Rds On) ile düşük kayıp uygulamalar için tasarlanmıştır. 2WDSON paket tipi, yüzey montajı uygulamalarına uygundur. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Güç dönüştürme, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. 42nC gate charge ve 3000pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Ta), 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3000 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-WDSON |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.2W (Ta), 28W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok