Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSD816SNL6327HTSA1

MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363-6

Paket/Kılıf
6-TSSOP
Seri / Aile Numarası
BSD816SNL

BSD816SNL6327HTSA1 Hakkında

BSD816SNL6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V Vdss ile çalışan bu bileşen, 1.4A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 160mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük direnç karakteristiği sunarak enerji verimliliği sağlar. 6-VSSOP (SOT-363) yüzeye monte paketinde bulunur. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve düşük güçlü lojik sürücü uygulamalarında kullanılır. 500mW maksimum güç dissipasyonuyla batarya güçlü cihazlarda tercih edilir. Bileşen üretim durdurulmuş olup, yedek parça gerektiren eski tasarımlar için arşiv değeri taşır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 2.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.6 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 180 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 1.4A, 2.5V
Supplier Device Package PG-SOT363-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 950mV @ 3.7µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok