Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSD816SNH6327XTSA1
MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363-6
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 6-TSSOP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSD816
BSD816SNH6327XTSA1 Hakkında
BSD816SNH6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ve 1.4A sürekli drain akımı kapasitesi ile hafif güç uygulamalarında kullanılır. 160mΩ maksimum RDS(on) değeri ve 0.6nC gate charge karakteristiği ile düşük güç kaybı sağlar. 6-VSSOP (SOT-363) gövdesinde paketlenen bu bileşen, anahtarlama devreleri, motor kontrolü, LED sürücüleri ve düşük voltaj güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, kompakt tasarımlar için uygundur. (Ürün statüsü: Obsolete)
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 2.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.6 nC @ 2.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 180 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 1.4A, 2.5V |
| Supplier Device Package | PG-SOT363-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 0.95V @ 3.7µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok