Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSD816SNH6327

MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363-6

Paket/Kılıf
6-TSSOP
Seri / Aile Numarası
BSD816

BSD816SNH6327 Hakkında

BSD816SNH6327, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 1.4A sürekli drenaj akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 160mOhm on-state direnci ve 500mW maksimum güç tüketimi ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde yer alır. SOT-363 6-pin yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, -55°C ile +150°C arasında çalışır. Mobil cihazlar, güç yönetimi, USB anahtarlaması ve IoT uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.6 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 180 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 1.4A, 2.5V
Supplier Device Package PG-SOT363-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 950mV @ 3.7µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok