Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSD316SNH6327XTSA1

MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363-6

Paket/Kılıf
6-TSSOP
Seri / Aile Numarası
BSD316

BSD316SNH6327XTSA1 Hakkında

BSD316SNH6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 1.4A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevleri gerçekleştirir. 160mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç yönetimi sağlar. 6-pin SOT363 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, portatif cihazlar, pil yönetim sistemleri, LED sürücüleri ve düşük voltajlı DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 94 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 1.4A, 10V
Supplier Device Package PG-SOT363-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 3.7µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok