Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSD314SPEH6327XTSA1

MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363-6

Paket/Kılıf
6-TSSOP
Seri / Aile Numarası
BSD314

BSD314SPEH6327XTSA1 Hakkında

BSD314SPEH6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilim ve 1.5A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. Maksimum 140mOhm on-resistance değeri ile düşük güç kayıplarında çalışır. 6-pin SOT363 (SC-88) yüzey montajlı paketinde sunulur. -55°C ile +150°C arasında güvenilir çalışma sağlar. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi, LED kontrol devreleri ve batarya yönetim sistemlerinde kullanılır. 500mW maksimum güç dağılımı, 2.9nC gate charge ve düşük input kapasitansi ile hızlı komutasyon sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 294 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 1.5A, 10V
Supplier Device Package PG-SOT363-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 6.3µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok