Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC900N20NS3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 15.2A TDSON-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC900N20NS3
BSC900N20NS3GATMA1 Hakkında
BSC900N20NS3GATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilimi ve 15.2A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 90mΩ RDS(On) değeri ile düşük konaksiyon kaybı sağlar. TDSON-8 (PG-TDSON-8-5) paket tipi sayesinde kompakt tasarımlara uygun olup, yüzey montajı için uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir. Anahtarlama devreleri, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. ±20V gate gerilimi ile esneklik sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 920 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 62.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 7.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-5 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 30µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok