Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC889N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 12A 44A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC889N03
BSC889N03MSGATMA1 Hakkında
BSC889N03MSGATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ile çalışan bu bileşen, 12A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir (Ta), pulse koşullarında 44A'e çıkabilir. Rds(on) değeri 9.1mΩ olup, düşük iletim kayıpları sağlar. 8-PowerTDFN yüzey monte paketinde sunulan komponent, anahtarlama uygulamaları, DC-DC konvertörleri, motor kontrolü ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. -55°C ile +150°C arasında güvenilir çalışma sunar. Gate charge değeri 20nC ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. Düşük giriş kapasitansi (1500pF) sayesinde kontrolçü entegrelerine minimum yük oluşturur. Bu ürün artık üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta) 44A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 28W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.1mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok