Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC886N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 13A/65A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC886N03LS
BSC886N03LSGATMA1 Hakkında
BSC886N03LSGATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim ve 13A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 8-PowerTDFN yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük 6mOhm RDS(on) değeri ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve load switch uygulamalarında tercih edilen bu FET, -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Maksimum 26nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Ta), 65A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2100 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 39W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok