Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC884N03MSG
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC884N03MSG
BSC884N03MSG Hakkında
BSC884N03MSG, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 34V drain-source gerilimi ve 17A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile düşük gerilim uygulamalarında kullanılır. 4.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Surface mount 8-PowerTDFN pakette sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, motor denetim devreleri, güç yönetimi sistemleri ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. 2.5W (Ta) güç saçabilme kapasitesi ile kompakt tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Ta), 85A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 34 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2700 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok