Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSC884N03MS G

MOSFET N-CH 34V 17A/85A TDSON

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
BSC884N03MS

BSC884N03MS G Hakkında

BSC884N03MS G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 34V drain-source gerilimi ve 17A (Ta) / 85A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 4.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Surface mount 8-PowerTDFN paketinde gelmektedir. -55°C ile 150°C arasında çalışır. Motor sürücüleri, güç dönüştürücüleri, anahtarlama uygulamaları ve yük yönetimi sistemlerinde kullanılan bir komponendir. 10V gate voltajında tam açılır ve hızlı komütasyon özelliğine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Ta), 85A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 34 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2700 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package PG-TDSON-8-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok