Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC882N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 34V 8TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC882N03LS
BSC882N03LSGATMA1 Hakkında
BSC882N03LSGATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 34V Drain-Source gerilimi ve 10V Gate sürüş voltajında maksimum 4.2mΩ RDS(on) direncine sahiptir. 30A akım kapasitesi ile güç uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 8-PowerTDFN yüzey montajlı paket içinde sunulan bileşen, düşük sıcaklıkta daha düşük dirençle çalışarak enerji kaybını minimalize eder. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 34 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3700 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Not For New Designs |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok