Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSC670N25NSFDATMA1

MOSFET N-CH 250V 24A TDSON-8-1

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
BSC670N25

BSC670N25NSFDATMA1 Hakkında

BSC670N25NSFDATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 250V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ve 24A sürekli drenaj akımı (Id) ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 67mOhm maksimum açık durum direnci (Rds On) ile verimli enerji transferi sağlar. 150W maksimum güç tüketimi ile endüstriyel sürücü devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol sistemleri ve güç yönetimi uygulamalarında yer alır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. 8-PowerTDFN SMD paketinde sunulmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 24A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2410 pF @ 125 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 67mOhm @ 24A, 10V
Supplier Device Package PG-TDSON-8-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 90µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok