Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC600N25NS3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8-1
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC600N25NS3G
BSC600N25NS3GATMA1 Hakkında
BSC600N25NS3GATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 250V drain-source gerilimi ile 25A sürekli drenaj akımı sağlayabilen bu bileşen, endüstriyel uygulamalar, güç dönüştürme devreleri, motor kontrol sistemleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 60mΩ maksimum on-state direnci ile düşük ısı kaybı sağlar. 8-PowerTDFN yüzey montajlı paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 125W maksimum güç disipasyon kapasitesi ile güç elektronikleri tasarımlarında tercih edilen bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2350 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 90µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok