Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC520N15NS3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 21A TDSON-8-5
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC520N15NS3
BSC520N15NS3GATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BSC520N15NS3GATMA1, N-channel MOSFET transistördür. 150V drain-source gerilimi ve 21A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 52mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük dönüşüm kayıpları sağlar. Surface mount TDSON-8-5 paketinde sunulan bu bileşen, motor denetim, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel elektronik uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir. 57W maksimum güç dağıtımı ve düşük gate charge değeri (12nC) ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 890 pF @ 75 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 57W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52mOhm @ 18A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-5 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 35µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok