Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC500N20NS3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 24A TDSON-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC500N20NS3G
BSC500N20NS3GATMA1 Hakkında
BSC500N20NS3GATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source voltaj (Vdss) ve 24A sürekli drain akımı (Id) ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 50mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. 8-PowerTDFN yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. Motor kontrol, güç kaynakları, invertörler ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışır ve 96W güç yayılabilir. Gate kapasitesi (Ciss) 1580pF, gate yükü 15nC ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1580 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 96W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 22A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 60µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok