Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC440N10NS3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 5.3A/18A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC440N10NS3G
BSC440N10NS3GATMA1 Hakkında
BSC440N10NS3GATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi (Vdss) ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmaya uygun olup, 25°C'de 5.3A sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 44mΩ maksimum on-resistance (Rds on) değeri ile enerji verimliliği sağlar. 8-PowerTDFN SMD paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor denetimi ve endüstriyel kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.3A (Ta), 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 810 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 29W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 44mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 12µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok