Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC360N15NS3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 33A 8TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC360N15NS3G
BSC360N15NS3GATMA1 Hakkında
BSC360N15NS3GATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 150V drain-source gerilimi ve 33A sürekli drain akımı ile güç elektronik uygulamalarında kullanılan bir yarı iletken bileşendir. Surface mount 8-PowerTDFN paketinde sunulan bu transistör, düşük RDS(on) değeri (36mΩ @ 25A, 10V) sayesinde ısıl kaybı minimize eder. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile çalışır ve -55°C ile +150°C arası sıcaklık aralığında işletilir. MOSFET teknolojisine dayanan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, güç dönüştürücülerinde, motor sürücülerinde ve inverter uygulamalarında tercih edilir. 74W maksimum güç tüketimi ile tasarlanan BSC360N15NS3GATMA1, endüstriyel ve otomotiv sektöründe yaygın olarak kullanılan yüksek verimli bir transistördür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 33A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1190 pF @ 75 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 74W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 45µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok