Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC350N20NSFDATMA1
MOSFET N-CH 200V 35A TDSON-8-1
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC350N20NSFD
BSC350N20NSFDATMA1 Hakkında
BSC350N20NSFDATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 35A sürekli dren akımı ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V kapı sürü geriliminde 35mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. TDSON-8-1 yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlara uygun olup, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. 150W maksimum güç yayılımı özelliği ile endüstriyel güç yönetimi, motor kontrolü, şarj devreler ve inverter uygulamalarında tercih edilir. Gate charge 30nC olup hızlı anahtarlama özelliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2410 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 35A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 90µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok