Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC320N20NS3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC320N20NS3
BSC320N20NS3GATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BSC320N20NS3GATMA1, N-kanal MOSFET transistördür. 200V drain-source voltajında 36A sürekli drenaj akımı sağlayan bu bileşen, düşük açık durum direnci (32mOhm @ 36A, 10V) ve hızlı anahtarlama özellikleriyle güç uygulamalarında kullanılır. Surface Mount TDSON-8 paketinde sunulan transistör, -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, güç yönetim sistemleri ve indüktif yük uygulamalarında tercih edilir. 29nC gate charge değeri hızlı ve verimli anahtarlama sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 36A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2350 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 36A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 90µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok