Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC265N10LSFGATMA1
MOSFET N-CH 100V 6.5A/40A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC265N10LS
BSC265N10LSFGATMA1 Hakkında
Infineon Technologies BSC265N10LSFGATMA1, 100V/6.5A kapasiteli N-Channel Power MOSFET transistördür. Surface Mount (PowerTDFN-8) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Düşük on-state direnci (26.5mOhm), hızlı geçiş karakteristiği ve geniş sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) çalışma özelliği sayesinde inverter, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 78W güç tüketim kapasitesi ve 21nC gate charge değeri kompakt ve verimli devre tasarımı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.5A (Ta), 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1600 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 78W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26.5mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 43µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok