Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC252N10NSFGATMA1
MOSFET N-CH 100V 7.2A/40A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC252N10
BSC252N10NSFGATMA1 Hakkında
BSC252N10NSFGATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj ve 40A kontinüe drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 25.2mΩ maksimum RDS(on) değeriyle düşük iletim kaybı sağlar. TDSON 8-pin yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, güç kontrol uygulamaları, motor sürücüleri, anahtarlama güç kaynakları ve çevirici devrelerinde kullanılır. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışır. 78W maksimum güç disipasyonu kapasitesi sayesinde ağır yük uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.2A (Ta), 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 78W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25.2mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 43µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok