Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSC240N12NS3G

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
BSC240N12NS3

BSC240N12NS3G Hakkında

BSC240N12NS3G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 120V drain-source geriliminde 37A sürekli dren akımı sağlar. 24mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı özelliği taşır. Surface Mount PG-TDSON-8-1 paket formatında sunulan bu transistör, motor kontrol, DC-DC konverterler, güç dağıtım sistemleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 66W güç saçabilir. 10V gate sürüş gerilimi ile hızlı komütasyon sağlar, 4V eşik gerilimi ile düşük sürüş gücü gerektirir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 37A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 120 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 60 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 66W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 31A, 10V
Supplier Device Package PG-TDSON-8-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 35µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok