Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC22DN20NS3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 7A TDSON-8-5
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC22DN20NS3
BSC22DN20NS3GATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BSC22DN20NS3GATMA1, 200V drain-source voltaj ve 7A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bir N-Channel MOSFET'tir. TDSON-8-5 paketlemesinde sunulan bu transistör, düşük gate charge (5.6 nC @ 10V) ve kompakt giriş kapasitansı (430 pF @ 100V) özelliği taşır. Maksimum 225mOhm (@ 3.5A, 10V) RDS(on) direnci ve 34W güç yayılması kapasitesi ile orta güç uygulamalarına uygundur. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) ve ±20V maksimum gate-source voltajı desteği ile anahtarlama devreleri, motor kontrolü, güç dönüşüm uygulamalarında kullanılır. Surface mount montajı için tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 430 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 34W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 225mOhm @ 3.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-5 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 13µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok